電路圖
圖中有兩個(gè)型號的MOS管，Q1是N溝道MOS管（型號是FDN335N），Q2是P溝道MOS管（型號是AO3401）。MOS是通過控制柵極和源極之間的電壓差（Vgs）來實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通和截止的。
下圖是N溝道MOS管。Vgs大于一定的值時(shí)，MOS管導(dǎo)通。通常來說，NMOS管的源極要接GND，電流方向由漏極指向源極，寄生二極管的方向與電流方向相反。
下圖是P溝道MOS管。Vgs小于一定值時(shí)，MOS管導(dǎo)通。通常來說，PMOS管的源極要接VCC，電流方向由源極指向漏極，寄生二極管的方向與電流方向相反。
上面的“一定值”怎么確定是必須要去查看管子的規(guī)格書的。
NMOS管選擇-偏置電壓較低，適合GPIO的3.3V輸出。
兩個(gè)管子的漏極和源極之間連接一個(gè)電阻，是為了在斷開時(shí)快速消耗掉G和S之間的存儲的電荷，起到保護(hù)管子的作用。
至于信號輸入端串聯(lián)電阻的大小，需要實(shí)際測試來確定。
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