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大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與其應(yīng)用介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2024-08-24 17:54:37
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大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與其應(yīng)用介紹
1  引言
作為逆變電路中的核心部件——大功率開關(guān)器件,一般分為三大類型,即雙極型、單極型和混合型。雙極型GTO、GTR、SITH等;單極型有功率MOSFET、SIT等;混合型有IGBT、MGT(MOS門極晶體管)等。這些大功率器件的運(yùn)行狀態(tài)及安全性直接決定了變頻器和逆變器性能的優(yōu)劣,而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。本文重點(diǎn)介紹GTR的基極驅(qū)動(dòng)電路。
大功率晶體管(GiantTransistor—GTR)也稱巨型晶體管,是三層結(jié)構(gòu)的雙極全控型大功率高反壓晶體管,它具有自關(guān)斷能力,控制十分方便,并有飽和壓降低和比較寬的安全工作區(qū)等優(yōu)點(diǎn),在許多電力變流裝置中得到了應(yīng)用。
在電力電子裝置中,GTR主要工作在開關(guān)狀態(tài)。GTR是一種電流控制型器件,即在其基極注入電流IB后,集電極便能得到放大了的電流IC,電流放大倍數(shù)由hFE來評(píng)價(jià)。對(duì)于工作在開關(guān)狀態(tài)的GTR,關(guān)鍵的技術(shù)參數(shù)是反向耐壓VCE和正向?qū)娏鱅C。由于GTR不是理想的開關(guān),當(dāng)飽和導(dǎo)通時(shí),有管壓降VCES,關(guān)斷時(shí)有漏電流ICEO;加之開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中具有開通時(shí)間ton。(含延遲時(shí)間td和上升時(shí)間tr),關(guān)斷時(shí)間toff(含存貯時(shí)間ts和下降時(shí)間tf),因此使用GTR時(shí),對(duì)其集電極功耗PC與結(jié)溫Tjm也應(yīng)給予足夠的重視。
2  基極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)原則
GTR基極驅(qū)動(dòng)電路和性能直接影響著GTR的工作狀況,因此在設(shè)計(jì)基極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)應(yīng)考慮以下兩點(diǎn):最優(yōu)化驅(qū)動(dòng)方式和自動(dòng)快速保護(hù)。
所謂最優(yōu)化驅(qū)動(dòng),就是以理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形去控制GTR的開關(guān)過程,以便提高開關(guān)速度,減小開關(guān)損耗。理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形如圖1所示。由圖1可以看出,為加快開通時(shí)間和降低開通損耗,正向基極電流在開通初期不但要求有陡峭的前沿,而且要求有一定時(shí)間的過驅(qū)動(dòng)電流IB1。導(dǎo)通階段的基極驅(qū)動(dòng)電流IB2應(yīng)使GTR恰好維持在準(zhǔn)飽和狀態(tài),以便縮短存儲(chǔ)時(shí)間ts。一般情況下,過驅(qū)動(dòng)電流IB1的數(shù)值選為準(zhǔn)飽和基極驅(qū)動(dòng)電流值IB2的3倍左右,過驅(qū)動(dòng)電流波形前沿應(yīng)控制在0.5μs以內(nèi),其寬度控制在2μs左右。關(guān)斷GTR時(shí),反向基極驅(qū)動(dòng)電流IB3應(yīng)大一些,以便加快基區(qū)中載流子的抽走速度,縮短關(guān)斷時(shí)間,減小關(guān)斷損耗,實(shí)際應(yīng)用中,常選IB3=IB1或更大一些。這種基極驅(qū)動(dòng)波形一般由加速電路和貝克箝位電路來實(shí)現(xiàn)。
晶體管驅(qū)動(dòng)電路
圖1  理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形 
另外,GTR的驅(qū)動(dòng)電路還應(yīng)有自保護(hù)功能,以便在故障狀態(tài)下能快速自動(dòng)切除基極驅(qū)動(dòng)信號(hào),以避免GTR的損壞。保護(hù)電路的類型有多種,根據(jù)器件及電路的不同要求可進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇。為了提高開關(guān)速度,可采用抗飽和保護(hù)電路;要保證開關(guān)電路自身功耗低,可采用退飽和保護(hù)電路;要防止基極欠驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致器件過載狀態(tài),可采用電源電壓監(jiān)控保護(hù)。此外,還有脈沖寬度限制電路以及防止GTR損壞的過壓、過流、過熱等保護(hù)電路。
基極驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成形式很多,歸結(jié)起來有三個(gè)明顯的趨勢(shì):
1)為了提高工作速度,都以抗飽和貝克箝位電路作為基本電路;
2)不斷完善和擴(kuò)大自動(dòng)保護(hù)功能;
3)在開通和關(guān)斷速度方面不斷加以改進(jìn)和完善。
3  基極驅(qū)動(dòng)電路一例
3.1  電路組成與功能
下面介紹一種實(shí)用高效自保護(hù)基極驅(qū)動(dòng)電路,它不但能維持GTR工作在準(zhǔn)飽和狀態(tài),而且可以對(duì)GTR的過載提供快速可靠的保護(hù),防止GTR進(jìn)入放大區(qū)。另外可以改善GTR的開關(guān)特性,縮短開關(guān)時(shí)間,降低驅(qū)動(dòng)功率,提高驅(qū)動(dòng)效率,具體電路如圖2所示。它主要由信號(hào)隔離電路,退飽和檢測(cè)電路,控制信號(hào)綜合電路和具有反偏壓的自適應(yīng)輸出電路組成。信號(hào)隔離電路由光電耦合器BD構(gòu)成,實(shí)現(xiàn)邏輯控制電路與驅(qū)動(dòng)電路之間的電氣隔離;退飽和檢測(cè)電路由二極管D6和電壓比較器A1組成。當(dāng)GTR的集-射極電壓VCE高于某一規(guī)定值時(shí),電壓比較器A1輸出過載保護(hù)信號(hào)。控制信號(hào)的綜合電路由三極管V1構(gòu)成。其功能是將正常的開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與退飽和禁止信號(hào)疊加處理后送至輸出級(jí)。具有反偏壓的自適應(yīng)輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)由三級(jí)管V3、V4,二極管D7、D8、D9,電容器C2等元器件組成,它的功能是提高開關(guān)速度和產(chǎn)生反偏壓驅(qū)動(dòng)波形。
晶體管驅(qū)動(dòng)電路
圖2  基極驅(qū)動(dòng)電路
3.2  驅(qū)動(dòng)電路的工作原理
當(dāng)輸入信號(hào)Vin為高電平時(shí),光耦截止,B點(diǎn)近似等于電源電壓,A點(diǎn)為R3與R4的分壓電平,則VB>VA,電壓比較器輸出端C為低電平,三極管V1截止,V2導(dǎo)通,V3、V4截止,從而GTR截止。
當(dāng)輸入信號(hào)Vin由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí),光耦輸出由截止變?yōu)閷?dǎo)通。C1經(jīng)R8、D3進(jìn)行充電,利用電容二端的電壓不能突變的特點(diǎn),V2的基極電位也變?yōu)榱悖琕2截止,V3、V4導(dǎo)通,經(jīng)過加速網(wǎng)絡(luò)C2、R12使GTR迅速飽和導(dǎo)通;當(dāng)GTR導(dǎo)通后,它的VCE隨之下降,D6導(dǎo)通,使B點(diǎn)的電位箝位于VB=VCE<VA,電壓比較器A1輸出端C變?yōu)楦唠娖剑筕1導(dǎo)通,V2的基極電位維持在地電位上;維持V2截止,V3、V4導(dǎo)通。同時(shí)V1的導(dǎo)通給C1提供了放電回路,使電容C1的兩端電壓下降為零,為下次工作做準(zhǔn)備。
當(dāng)Vin由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí),光耦輸出級(jí)由導(dǎo)通變?yōu)榻刂梗笵1導(dǎo)通,D2截止,重新使VB>VA,C點(diǎn)輸出低電平,V1截止,V2導(dǎo)通,由C2、V5、D10、D9等組成的反偏電路使GTR迅速關(guān)斷,D6同時(shí)截止。下一周期將重復(fù)上述工作過程。
帶有反偏驅(qū)動(dòng)電路的工作原理如下:當(dāng)V4導(dǎo)通時(shí),GTR也導(dǎo)通。通過加速電容C2的比較大的充電電流向GTR基極提供過驅(qū)動(dòng)電流,最大電流僅受R11阻值限制。充電結(jié)束后,進(jìn)入導(dǎo)通階段,GTR的基極電流由R11、R12和D8共同決定,此時(shí)C2充有左正右負(fù)的電壓。當(dāng)V4關(guān)斷V5導(dǎo)通時(shí),電容C2經(jīng)V5的C-E結(jié)→D10→D9→C2放電。GTR的反偏電壓等于D10的導(dǎo)通壓降,約為0.7V左右,使GTR迅速截止。
3.3  保護(hù)電路工作原理
在正常工作過程中,由于D6導(dǎo)通,使VB=VCE;若GTR發(fā)生過載或其它原因退出飽和狀態(tài),使VCE上升到VB=VCE
3.4  驅(qū)動(dòng)電路的器件要求
首先對(duì)光電耦合器的要求是高速型光耦。這是因?yàn)閷?duì)于橋式逆變電路,同一橋臂的上下兩個(gè)互補(bǔ)的控制信號(hào)之間應(yīng)當(dāng)設(shè)置死區(qū)時(shí)間tΔ(15~20μs之間),因普通光耦開關(guān)時(shí)間較長(zhǎng),一般在(4~6μs)之間,而后級(jí)驅(qū)動(dòng)的延遲時(shí)間長(zhǎng)達(dá)10μs左右,而且可能出現(xiàn)開通與關(guān)斷時(shí)間不等的現(xiàn)象,使正常的死區(qū)時(shí)間得不到保證。為了能安全可靠地工作,必須選用高速型光耦,并把后級(jí)驅(qū)動(dòng)總延遲嚴(yán)格限制在5μs以內(nèi)。例如圖2中選用高速型光耦6N137就能滿足系統(tǒng)的要求。
其次對(duì)光耦的要求是具有較強(qiáng)的抗干擾能力。這是因?yàn)樵贕TR的開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中,P點(diǎn)的電位是發(fā)生跳變的(圖3)。如GTR1導(dǎo)通或D1續(xù)流時(shí),P點(diǎn)與M點(diǎn)等電位;而GTR2導(dǎo)通或D2續(xù)流時(shí),P點(diǎn)又與N點(diǎn)等電位。P點(diǎn)電位的跳變速度由二極管反向恢復(fù)時(shí)間決定。對(duì)于中小功率三相異步電機(jī)變頻器,P點(diǎn)的dv/dt將達(dá)到每秒數(shù)千伏。若光耦抗干擾能力不強(qiáng)。P點(diǎn)電位的跳變將會(huì)通過光耦內(nèi)部寄生電容耦合,在驅(qū)動(dòng)電路中形成干擾脈沖,致使GTR發(fā)生誤動(dòng)作而不能正常工作。
晶體管驅(qū)動(dòng)電路
圖3  GTR主電路與驅(qū)動(dòng)電路的連接關(guān)系
4  結(jié)語
驅(qū)動(dòng)電路是GTR安全工作的基礎(chǔ),精心設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路,精心選擇驅(qū)動(dòng)電路元器件和參數(shù),是保證整機(jī)可靠運(yùn)行的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。近年已廣泛采用這類專用模塊驅(qū)動(dòng)電路,(如UAA4002),使GTR的工作更加安全可靠。實(shí)踐證明,本文設(shè)計(jì)的這套帶反偏壓自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,性能可靠,能滿足采用GTR逆變器的一般驅(qū)動(dòng)要求。
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