可以得出，阻值過大過小都是對MOSFET驅(qū)動電路產(chǎn)生一定不利影響的，而如何確定出合適的阻值，一般是根據(jù)管子的電流容量和電壓額定值以及開關(guān)頻率，來選取Rg的數(shù)值。
我們經(jīng)常會聽到在MOSFET柵極前增加一個電阻。那么，為什么要增加這個電阻，進(jìn)一步地來講，為什么要增加一個100Ω電阻？
在MOSFET的柵極前增加一個電阻？
MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導(dǎo)通，只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，并不需要柵極電流。
所以從本質(zhì)上來講，MOS管工作室柵極上并不需要串聯(lián)任何電阻。
還有一種情況，也就是MOS管柵極存在的寄生電容。一般為了加快MOS管導(dǎo)通和截止的速度，降低其導(dǎo)通和截止過程中的產(chǎn)生損耗，柵極上的等效電阻是應(yīng)該越小越好，最好為0。
但我們卻經(jīng)常會看到關(guān)于MOSFET的電路中，柵極前串聯(lián)著一個電阻。如下圖：
那為什么要串聯(lián)這個電阻呢？
在開關(guān)狀態(tài)下，通常解釋就是為了防止MOSFET在開關(guān)過程中會產(chǎn)生震蕩波形，因?yàn)檫@會增加MOSFET開關(guān)損耗，不僅如此，如果震蕩過大，還會引起MOS管被擊穿。
再進(jìn)一步講，為什么電阻是100Ω呢？
我在網(wǎng)上看到一個仿真試驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)在MOSFET電路中的柵極串聯(lián)電阻R3，分別對它取1歐姆，10歐姆，50歐姆進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)：
當(dāng)R3為1歐姆時，輸出電壓Vds上出現(xiàn)高頻震蕩信號。
當(dāng)R3為10歐姆時，輸出電壓Vds的高頻震蕩信號明顯被衰減。
3. 當(dāng)R3為50歐姆時，輸出電壓Vds的上升沿變得緩慢。其柵極電壓上，因?yàn)槁O-柵極之間的米勒電容效應(yīng)引發(fā)了臺階。此時對應(yīng)的MOS管的功耗大大增加。
簡單來說，如果它的取值小了，就會引起輸出振鈴，如果大了就會增加MOS管的開關(guān)過渡時間，從而增加其功耗。
是不是看到這里，還是不太清楚選值為100Ω的作用在哪里？我們以上面提到的開關(guān)震蕩再進(jìn)深一步探討。這是一張MOSFET的驅(qū)動電路圖：
功率MOS管的驅(qū)動電路中會分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會形成諧振電路：對開關(guān)驅(qū)動信號中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振，進(jìn)而引起功率管輸出電壓的波動。
MOS管的柵極串聯(lián)電阻Rg，會增大MOS管驅(qū)動回路中的損耗，然后降低諧振回路的Q值，使得電感與電容諧振現(xiàn)象快速衰減。
在這里我們可以理解到，MOS管柵極上所串聯(lián)的電阻，是根據(jù)具體的MOS管和電路分布雜散電感來確定。
這跟我們上面提到阻值影響相關(guān)的，下面會詳細(xì)提到：
如上圖，當(dāng)Rg值比較小時，驅(qū)動電壓上沖會比較高，震蕩較多，L（電感）越大也越明顯，此時會對MOSFET及其他器件性能產(chǎn)生一定影響。
此外，驅(qū)動電流的峰值也比較大，但是一般情況下，IC的驅(qū)動電流輸出能力是有一定限制的。
當(dāng)阻值過大時，實(shí)際驅(qū)動電流達(dá)到IC輸出的最大值時，IC輸出就相當(dāng)于一個恒流源，會對Cgs線性充電，驅(qū)動電壓波形的上升率會變慢。
而驅(qū)動波形上升比較慢的話，如果MOSFET有較大電流通過時就有不利影響。
可以得出，阻值過大過小都是對MOSFET驅(qū)動電路產(chǎn)生一定不利影響的，#優(yōu)質(zhì)作者榜#而如何確定出合適的阻值，一般是根據(jù)管子的電流容量和電壓額定值以及開關(guān)頻率，來選取Rg的數(shù)值。
還記得上面那句話嗎？
MOS管柵極上所串聯(lián)的電阻，是根據(jù)具體的MOS管和電路分布雜散電感來確定。
因此它不是一個固定值，但100Ω卻是個常用值，這是由于我們?nèi)粘Ｊ褂玫尿?qū)動電路應(yīng)用中常得出的“范圍值”。然而，具體應(yīng)用需要根據(jù)實(shí)驗(yàn)檢測來確定。
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