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當(dāng)MOS管由導(dǎo)通狀態(tài)瞬間轉(zhuǎn)換至關(guān)斷狀態(tài)之際，在源極與漏極之間會(huì)形成急劇的電壓變化率dVDS/dt。這一快速變化的電壓經(jīng)由米勒電容（即柵漏寄生電容）的耦合作用，會(huì)在柵極形成額外的電流。該電流流經(jīng)柵極電阻時(shí)，會(huì)造成柵極電壓的升高，進(jìn)而引發(fā)電壓尖峰現(xiàn)象。若此尖峰電壓逾越了MOS管的開(kāi)啟閾值電壓Vgs(th)，便會(huì)觸發(fā)MOSFET的誤開(kāi)通。尤其是在H橋電路架構(gòu)中，這種誤開(kāi)通可能導(dǎo)致上管與下管同時(shí)導(dǎo)通，后果極為嚴(yán)重，輕則造成電路直通，重則致使一個(gè)或兩個(gè)MOS管遭受損壞。

二、MOS管誤導(dǎo)通與柵極擊穿損壞的關(guān)聯(lián)因素

MOS管的柵漏寄生電容，也就是米勒電容，是引發(fā)MOS管自開(kāi)通現(xiàn)象的關(guān)鍵因素之一。當(dāng)MOS管處于導(dǎo)通到關(guān)斷的快速切換過(guò)程時(shí)，源漏極之間的陡峭dVDS/dt使得電流經(jīng)米勒電容耦合至柵極，在柵極電阻上產(chǎn)生電壓降，從而抬高了柵極電壓，形成較大尖峰。當(dāng)尖峰電壓超過(guò)閾值，誤開(kāi)通便會(huì)發(fā)生。同時(shí)，若柵極的尖峰電壓突破了柵源之間允許的最大電壓，還會(huì)擊穿MOS管的柵極氧化層，直接導(dǎo)致器件損壞。

三、防范MOS管誤導(dǎo)通與柵極擊穿損壞的有效舉措

精準(zhǔn)選擇柵極串聯(lián)電阻：MOS管的柵極通常會(huì)連接一個(gè)電阻，其作用不容小覷。一方面，可限制驅(qū)動(dòng)電流，防止瞬間驅(qū)動(dòng)電流過(guò)大超出驅(qū)動(dòng)芯片的承載能力，避免芯片受損。畢竟MOS管開(kāi)啟時(shí)，對(duì)Cgs和Cgd的充電過(guò)程初始階段電容近乎短路狀態(tài)，電流極大，此時(shí)串聯(lián)電阻能起到關(guān)鍵的限流與保護(hù)作用。另一方面，適當(dāng)增大柵極串聯(lián)電阻能降低開(kāi)關(guān)導(dǎo)通速度，進(jìn)而減小dVDS/dt，有效抑制柵極尖峰電壓，防范誤導(dǎo)通與柵極氧化層擊穿。然而，柵極電阻過(guò)大則會(huì)降低開(kāi)關(guān)速度，增加功率損耗與發(fā)熱風(fēng)險(xiǎn)；反之，過(guò)小的電阻雖能提升開(kāi)關(guān)速度，卻易加劇電壓尖峰。因此，柵極電阻的選擇需在開(kāi)關(guān)速度與尖峰電壓之間尋求精妙平衡。

合理串聯(lián)柵源電容：在柵極與源極之間接入電容，可吸收因dVDS/dt產(chǎn)生的柵漏電流，從而有效規(guī)避MOS管的誤導(dǎo)通以及柵極擊穿損壞問(wèn)題，這是一種簡(jiǎn)單而有效的防護(hù)手段。

并聯(lián)TVS二極管于柵源之間：

選用合適的TVS二極管（瞬態(tài)電壓抑制二極管），并關(guān)注其鉗位電壓Vc的匹配度。TVS二極管反向并聯(lián)于被保護(hù)元件兩端，在正常工作時(shí)近乎截止，不影響電路常規(guī)運(yùn)行；一旦電路遭遇瞬間高電壓沖擊，它能迅速反向擊穿導(dǎo)通，將元件兩端電壓鉗位在較低水平，為MOS管提供可靠的過(guò)電壓保護(hù)。

運(yùn)用米勒鉗位電路：通過(guò)在柵源之間增設(shè)一個(gè)MOS管來(lái)構(gòu)建鉗位電路。當(dāng)電壓低于設(shè)定的米勒電壓時(shí)，比較器輸出高電平，促使柵源間的MOS管導(dǎo)通，短路米勒電容及柵極電阻的電流，實(shí)現(xiàn)柵極電壓的穩(wěn)定控制。