烜芯微生產(chǎn)40G10D場效應(yīng)管,提供40G10D的參數(shù)規(guī)格書,40G10D中文資料與40G10D場效應(yīng)管的引腳圖
40G10D場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：N+P溝通
Power Dissipation(w)功耗：NPN極2W,PNP極3.2W
Continuous Drain Current ID(A)持續(xù)漏極電流：NPN極10A，PNP極-10A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓：NPN極40V，PNP極-40V
Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓：±20V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)開啟電壓：NPN極1~2.5V，PNP極-1~-2.5V
NPN極：Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=8A,VGS=10V：Typ 17mΩ Max 22mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 25mΩ Max 35mΩ
PNP極：Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=-6A,VGS=-10V：Typ 39mΩ Max 53mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=-4A,VGS=-4.5V：Typ 58mΩ Max 81mΩ
Junction and Storage Temperature Range ：結(jié)和儲存溫度范圍：-55 to 150℃
40G10D場效應(yīng)管封裝為：PDFN3*3-8L
作用與應(yīng)用
40G10D場效應(yīng)管的核心作用是作為電子開關(guān)使用。在電路中，它通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)漏源路徑上的電流流動，實現(xiàn)對負載的精確控制。40G10D廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
電源管理：40G10D可用作低壓降開關(guān)，用于電源管理電路中的電池充放電控制、DC-DC變換器等。
信號放大：在音頻放大器和低頻放大器中，40G10D可以作為信號放大的關(guān)鍵部件。
開關(guān)控制：在各種開關(guān)電路中，如LED燈控制、電機控制等，40G10D能提供高效的開關(guān)控制功能。
模擬開關(guān)：在模擬電路中，40G10D可以作為開關(guān)管，用于模擬信號的控制和處理。
充電管理：在移動設(shè)備和電動車等充電管理系統(tǒng)中，40G10D用于充電過程中的電池保護和充電控制。
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